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近化学计量比铌酸锂晶体(S-LN)生长技术攻关

2006年 基础理论
  • 成果简介
自主设计并采用双坩埚排液技术,成功生长出了高质量的2英寸S-LN晶体,取得了技术上的突破。对原料合成和预处理的科学和工艺技术进行了研究,同时对生长工艺参数的优化进行了研究。研究了S-LN晶体的生长习性和生长缺陷,并通过UV法、Raman法等主要分析手段,分析了它们与工艺技术环节之间的关系。...
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