“高精度、宽温区金属基压敏芯片和压力传感器”通过科技成果评价

2024年6月30日“高精度、宽温区金属基压敏芯片和压力传感器”科技成果通过专家组认定，技术水平国际领先。

会议邀请了中国载人航天办公室、中国科学院过程工程研究所、清华大学集成电路学院、中国航天科工集团科技质量部、中国半导体行业协会、北京理工大学、国防科工局等单位首席专家组成评审委员会。

同时，保利航空、航天彩虹等应用方代表，国新基金、国新证券、中兵基金等投资方代表，湖南地方政府代表列席会议。

评审委员会认为，该项目发明了一种在金属基底上制备二氧化硅薄膜的PECVD沉积工艺和方法和基于氮化钽半导体电阻膜的压敏芯片制备技术和工艺，在压力测量量程、电压耐受能力、耐温范围等性能指标上达到了国际领先水平。【高科新创新闻中心宣】