研发成果主要有以下几个方面：
成果一：高性能、系列化SiC MOSFET功率模块
成功自主研发并掌握了1200V电压等级，覆盖300A至800A主流电流规格的新能源汽车用SiC MOSFET功率模块的设计与制造关键技术。形成了包括DWC3、F4(HP1)、DWC4(HPdriver)等多种封装形式在内的产品系列。模块关键性能参数达到行业先进水平，例如，HSS800F120AD3/AC4在Tj=25°C时Rdson低至1.8mΩ，最高工作结温可达175°C。
成果二：先进的低寄生电感与高效散热封装技术
针对SiC器件高速开关需求，成功开发并应用了低寄生电感（Ls）功率模块封装技术，根据不同封装类型，寄生电感控制在≤5nH至≤10nH的优异水平，有效保障了开关波形的质量和器件的稳定运行。同时，创新性地应用了包括直接水冷、双面散热在内的高效散热结构，实现了极低的热阻（先进封装如双面散热可达约0.05K/W），解决了高功率密度下的散热瓶颈问题。
成果三：优化的SiC MOSFET驱动与快速保护核心技术
攻克了SiC MOSFET精确驱动的技术难点，研发出与之特性匹配的优化栅极驱动电路方案，集成了主动米勒钳位等关键技术，有效抑制了寄生导通风险。同时，针对SiC器件短路耐受时间短（~3us）的挑战，成功开发并验证了响应时间达到微秒级的快速短路保护策略，显著提升了功率模块及系统的可靠性。
成果四：高集成度、高性能SiC电机控制器系统解决方案
成功将自主研发的SiC功率模块、优化驱动保护电路与先进控制算法进行高效集成，研制出新一代高性能新能源汽车电机控制器。通过在e-Power60B、e-power120等实际平台上的全面测试与对比验证，证实该SiC控制器解决方案可实现峰值效率超过99.1%，系统峰值效率超过95.1%，控制器功率密度达到50 KW/L，且在典型工况下效率显著优于传统IGBT方案，整车能效提升明显。形成了完整的、可产业化的SiC电机控制器技术解决方案。

1.梁文勇  2.朱波  3.张鹏  4.司元申  5.孟璇  6.时辰  7.朱广宇  8.许光滕  9.张恒源  10.韩宗考