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高精度电压基准电路

2016年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种高精度电压基准电路，包括耗尽型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M5，其特点是还包括一个耗尽型NMOS晶体管M3，所述耗尽型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD，耗尽型NMOS晶体管M3的栅极和源极相连并与耗尽型NMOS晶体管M4的漏极连接，耗尽型NMOS晶体管M4的栅极和源极相连并连接到增强型NMOS晶体管M5的漏极，增强型NMOS晶体管M5的栅极和漏极相连接，增强...
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