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一种原位合成A1N/A1电子封装材料的方法

2016年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
  一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法,其特征在于,合成过程为:将摩尔比为3~6∶1的Al粉和NH4Cl粉均匀混合后,先在20~30MPa压力下模压成型,再在200~400MPa压力下冷等静压成型,将冷等静压成型后的生坯放入石墨模具中,随后放入热压烧结炉中,预抽真空至0.05Pa后关闭热压烧结炉的真空阀,通入氮气使热压烧结炉内气压回升至常压,升温至700~1000℃烧结,烧结过程中施加20...
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