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GaN电子器件

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本实用新型提供了一种GaN电子器件，其包括由下自上依次形成的SiC衬底层、GaN缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、GaN帽层和多层介质膜，GaN帽层上形成有栅极、源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间，栅极嵌入多层介质膜与GaN帽层接触，多层介质膜覆盖至少部分源极和漏极，其中，多层介质膜为三层结构或双层结构，三层结构为由下自上的SiN薄膜、SiO2薄膜和SiN薄膜，两层SiN薄...

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