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一种GaN压力传感器芯片

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本实用新型提供一种GaN压力传感器芯片，包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlGaN肖特基势垒层和GaN帽层，所述GaN过渡层与所述AlGaN肖特基势垒层形成二维电子气，所述二维电子气位于所述GaN过渡层和所述AlN隔离层之间；所述GaN帽层设有压力感应区，所述压力感应区从GaN帽层的上表面嵌入延伸至所述GaN过渡层内部，在邻近所述压力感应区的GaN帽层上生...
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