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增强耗尽型GaNHEMT环形振荡器

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本实用新型提供了一种增强耗尽型GaN HEMT环形振荡器，其包括由下自上依次形成的Si衬底、成核层、GaN缓冲层、隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN势垒层和GaN保护层，GaN保护层上间隔设置有多个隔离区，隔离区从GaN保护层的表面嵌入延伸至GaN缓冲层内部，在相邻两个隔离区之间的GaN保护层上形成有第一漏极、第二漏极、源极、增强型栅极和耗尽型栅极，源极位于第一漏极和第二漏极之间，增强...
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