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基于GaN的光电集成器件及其外延结构

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本实用新型提供了一种基于GaN的光电集成器件及其外延结构。光电集成器件包括由下而上依次层叠的衬底、成核层、GaN沟道层、AlGaN肖特基势垒层，AlGaN肖特基势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气，AlGaN肖特基势垒层上设有从AlGaN肖特基势垒层的上表面嵌入延伸至GaN沟道层内部的隔离区，在隔离区一侧的AlGaN肖特基势垒层上由下而上依次形成有器件隔离层、N+-GaN层、i-AlGaN层...
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