离子束技术为磁过滤阴极真空弧沉积技术与MEVVA源离子注入技术复合技术。磁过滤阴极真空弧沉积技术是一种新型离子束薄膜制备方法，它通过磁过滤技术，过滤掉弧源产生的大颗粒和中性原子，得到无大颗粒的纯等离子束。MEVVA源离子注入技术是利用阴极和阳极间的真空弧放电产生大量的金属等离子体，在电场的作用下被引出而形成的强流金属离子束。该复合技术不仅有效地克服了普通弧源沉积方法中由于大颗粒的存在而产生的问题，而且保持了极高的沉积速率。
离子束技术解决了选定涂层与选定基材相容性或结合力较低的问题，从而实现各类结构复杂部件的高质量表面处理。在强化涂层洁度、硬度、抗磨损、抗氧化、抗腐蚀等理化性能，进而提高关键部件在正常或极端条件下的服役可靠性和使用寿命等方面发挥了重要作用，可广泛应用于半导体元件、电子元器件、机械加工、航天航空、新能源、医用精密零部件等领域，市场需求旺盛。如：利用离子束无胶高性能低介电低损耗聚合物覆铜，微型刀具离子束沉积多元陶瓷涂层以及DLC涂层表面处理，延长刀具使用寿命，通信基站关键零部件的离子束金属化处理等。
为满足市场需求，项目开展了专项研发，创新开发了高脉冲偏压磁过滤阴极真空弧与MEVVA源复合宽域离子束技术。通过开发高脉冲偏压系统实现离子能量宽域化；利用MEVVA源实现目标薄膜与工件表面处理层形成锚钉效应，大幅提高涂层与基材的结合牢固度；研制了可低温成膜的离子束薄膜表面沉积专用设备及磁过滤扫描磁场关键部件，通过磁场耦合结构设计，提高了复杂结构部件的表面处理质量；研发了无胶高性能低介电低损耗聚合物覆铜、微型刀具表面沉积多元陶瓷涂层以及DLC涂层、通信基站关键零部件离子束金属化等表面处理工艺，满足了不同行业用户替代进口应用需求。
项目具有自主知识产权，已获多件国家授权发明专利。项目关键技术及工艺已推广应用，产品经用户使用反映良好，应用前景广阔。

1.罗 军  2.陈 琳  3.陈小曼  4.刘阳波  5.庞 盼  6.王桂岳