首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种横向高压DMOS器件

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种横向高压DMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，在降场层3之间提供了额外的第二导电类型半导体电流通道16，增加了电流流动路径的面积，同时也提供了相对较短的导电路径，并且可以增加第二导电类型半导体漂移区16的浓度，极大地降低了器件导通电阻。与常规具有降场层的横向高压DMOS器件相比，本发明...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统