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负电子亲和势GaN基紫外光电探测机理研究

2016年

基础理论

成果简介

　　采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法并结合实验研究，针对NEA GaN光电阴极研究中涉及到的GaN材料特性、p型掺杂特性、缓冲层Al组份、GaN表面特性、Cs/O激活机理等问题开展了较为系统的研究工作：
　　（1）研究了GaN体材料的电子结构和光学性质及空位缺陷对其影响；
　　（2）研究了Mg掺杂、Al掺杂、Si掺杂、In掺杂及Al、Mg共掺杂...

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