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碳化硅衬底材料与器件的集成计算材料工程

2016年 基础理论
  • 成果简介
　　本课题针对国家具有重大战略需求和国际禁运的半导体材料碳化硅衬底，立足自主研发，利用计算材料科学发展第三阶段的集成计算材料工程方法，将计算模拟应用到碳化硅衬底材料的合成、晶体生长、晶体加工、测试表征、器件加工、器件使役的全工艺过程，发展碳化硅衬底制备与器件应用的集成计算材料工程，实现新一代半导体材料工程研究模式的技术跨越，有效缩短包括半导体开关、电力电子器件等关键应用领域碳化硅产品的研发与验证周...
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