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大功率器件SiC外延材料的研发及产业化

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　1、课题来源与背景
　　作为第三代新型半导体材料，作为第三代新型半导体材料，SiC材料有着优异的电学性能：宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速率、高热导率、易于掺杂，特别适用与制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件。SiC的物理特性优势决定了其在高温、高频、高功率的应用场合是极为理想的材料。本项目将推动电力电子技术发生革命性的变化，打破国外技术壁垒和产品垄断，推动我国带动“新能源革命”...
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