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三维磁传感器单片集成化制作与特性研究

2016年

应用技术

中期阶段

成果简介

1. 课题来源与背景：“三维磁传感器单片集成化制作与特性研究”项目来源于哈尔滨市应用技术研究与开发项目（青年后备人才任务书编号：2014RFQXJ007），2014年6月经哈尔滨市科学技术局批准立项。
2. 技术原理及性能指标：本项目基于CMOS工艺和MEMS技术在＜100＞晶向高阻单晶硅衬底上制作集成三维磁传感器，该传感器由四个立体结构n+pn+硅磁敏三极管（MT ...

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