瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage SuppressorDiode，TVS），是目前国际上普遍使用的一种二极管形式的高效瞬态电压保护器件。当TVS 的两端受到反向瞬态高电压冲击时， 它能以10~12 s 量级的时间将其两端的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数kW 的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲和静电的损坏。
传统TVS二极管有单级和双极两种，均已被大量生产和广泛使用。其最大峰值功率有200W，400W 直到15kW，30kW等很多种。目前，研究热点主要集中在通过不断改善传统结构和工艺技术来提高TVS器件的整体性能；通过采用SiC 等新材料来突破Si 材料在高温等应用领域的的极限；由分立的离片式TVS 器件（off-chip TVS）到集成TVS器件（on-chip TVS）等方面，但至15kW和30kW以后，就鲜有文献报道功率更高的TVS器件。
针对上述问题，项目创新研发了扩散浓度和深度控制技术。在满足电流耐量情况下，通过扩散浓度和深度控制，实现了瞬态电压抑制；设计了多层保护复合结构芯片。利用CVD设备沉积sipos膜、PG钝化和LTO膜对芯片PN结进行三重保护，保证了芯片的可靠性；开发了20kA-TVS芯片制造工艺，配套研制了一种芯片测试探针台防打火装置等生产设备。利用碳化硅材料的电子饱和漂移速率高的特性，获得了高速响应特性。
项目具有自主知识产权，已获国家授权发明专利。项目小批量产品已被天宝国际兴业有限公司、郑州易昕电子科技有限公司等单位采用，反映良好。
项目咨询：王艳欣13371759156

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