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大直径4H-SiC单晶衬底材料

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　项目主要发明了大直径碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底加工技术，涉及人工晶体材料、半导体材料学及半导体加工和封装技术学科，属于新材料技术领域。
　　SiC是继硅和GaAs单晶之后发展起来的第三代半导体材料，具有禁带宽、热导率高等独特的物理特性，特别适合制备高温大功率半导体器件，在微波高频通讯、雷达、电力电子等方面具有广阔的应用前景。
　　虽然SiC器件性能非常优越，但是受...

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