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一种基于P+掺杂区、N型深阱二极管的双向ESD防护器件

2015年

应用技术

初期阶段

成果简介

一种基于P+掺杂区、N型深阱二极管的双向ESD防护器件版图涉及集成电路静电防护器件版图设计技术领域，特别涉及由P+-NWD二极管构成的双向静电释放器件版图布图。
按照本版图设计的双向静电释放器件具备如下优点：梳状金属2布线连接到二极管阵列的P+掺杂区，布线上下对称，该布线方式将泄放电流同时引到二极管阵列的各个单元，和指长方向的各个位置，保证了在正ESD脉冲和负ESD脉冲...

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