一、项目来源及背景
项目产品自主研发，关键核心技术拥有发明专利。现已量产，有着较大的市场份额。
功率半导体技术是改造传统产业、发展高新技术和高效利用能源的主导技术，功率半导体芯片是功率半导体技术发展的关键。项目产品终端结构优化，终端结构多重台阶沟槽造型。广泛应用于工业控制、无功补偿（智能电网）、模块电源等重点领域，市场应用领域渗透性强。
二、项目介绍
现有的晶闸管芯片采用挖槽工艺，承受的耐压较低（＜1400V）且正反向耐压不对称，反向耐压高于正向耐压，原因是该结构引起空间电荷区展不宽，电场集中，导致正向耐压低，反向耐压由于是正斜角结构，电场弱，所以耐压高。亟待解决结终端结构的耐高压问题。
项目产品通过在沟槽的两内壁对称设置有台阶结构，该沟槽设置有两级或三级台阶结构且其高度过PN结伸入基区20-70um。可有效增大沟槽表面积，降低P层表面浓度，有利于空间电荷区的展宽，达到降低表面电场强度的效果，并减少了正反向耐压的差距。