太阳能级多晶硅中存在着大量的杂质和缺陷，这些杂质和缺陷在晶硅体的禁带中引入深能级，显著降低了硅中少数载流子寿命，进而影响了太阳电池光性能。改进多晶硅生产工艺后制备出的超大颗粒多晶硅片，主要由取向（100）的超大颗粒和少数其他去向的小晶粒构成，理论上，上述（100）取向的超大颗粒的可以认为是单晶结构，形貌与单晶硅片非常接近，因此将会有较高的少子寿命和较低的缺陷密度，虽然少数其他去向小晶粒性能不一，但是该硅晶片存在晶界等材料缺陷显然少于普通铸造的多晶硅片，有效的降低了材料中的晶界密度，少子寿命更高，减少普通铸造多晶硅片中由于大量晶界存在导致效率降低的影响，因此采用超大颗粒多晶硅片是提高多晶硅太阳电池效率的有效途径。

1.王立建  2.李潘剑  3.袁红霞