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偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC?PiN/肖特基二极管。它包括N+?4H-SiC衬底和同型N-外延层;衬底背面设有N型欧姆接触;N-外延层上设有多个同心环形P+区域,这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环;各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触;各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层;在该SiO2钝化层上方设有场板。其制...
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