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碳化硅肖特基结式核电池及其制作方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种碳化硅肖特基结式核电池及其制作方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该结构依次包括核素6、上电极金属层5、金属黏附层4、势垒金属层3、本征i层2、n+型SiC层1、欧姆接触层7、金属过渡层8、金属阻挡层9和下电极金属层10，其中的n+型SiC层1和势垒金属层3形成肖特基结。此外，本发明还公开了该结构的制作方法。由于本发明提供的同位素能量转换结构是基于碳化硅基底的肖特基结式的...
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