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碳化硅指状肖特基接触式核电池

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层（1）、放射性同位素源层（3）、指状半透明肖特基接触层（2）、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层（5）、掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3的n型SiC衬底（6）和欧姆接触电极（7），放射性...
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