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毫米波FET的噪声模型建立方法

2017年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明提供了一种毫米波FET的噪声模型建立方法，其包括：将毫米波FET划分为无源结构区和有源结构区；将有源结构区沿栅极的宽度方向等分为N个第一单元，并将第一单元等分为与毫米波FET的栅指数目相等的份数，得到多个第二单元；在低频段建立毫米波FET的低频噪声模型，并利用低频噪声模型得到第二单元的包含本征参数和噪声源表达式的本征参数网络；计算毫米波信号在毫米波FET的输入电极和输出电极中的传输特性，...

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