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CMOS抗老化机理及其在集成电路中的实现

2017年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　随着CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor， CMOS）集成电路和制造工艺的发展，晶体管的特征尺寸不断减小并向纳米级（＜100nm）推进。先进的制造工艺，极大地提高芯片的性能，降低芯片的成本，已经获得广泛应。例如iphone 6中搭载的A8处理器采用20纳米工艺制造，集成了20亿个晶体管，核心面积约89m㎡。Intel Core i7 3770...

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