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砷化镓半导体芯片的研发及产业化

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本项目利用III-V 族化合物半导体（以磷化铟、砷化镓为主）为材料，采用国际先进的、具有自主知识产权的异质结双极半导体晶体管HBT设计及制造技术、牺牲外延层技术、衬底剥离技术、二维电子气技术、独特芯片结构等矩阵技术团队自主开发的核心技术，经过产品规格定义、设计与仿真、布局布线、芯片制造、样品测试等环节，制造民用及军用通讯领域高频、高功率、高性能的核心功率放大器件，及高灵敏度磁传感芯片产品。该传...
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