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亚微米CMOS/SIMOX器件与电路研究

2000年

应用技术

初期阶段

成果简介

攻关课题“亚微米CMOS/SIMOX器件与电路研究”主要研究了部分耗尽型亚微米CMOS/SOI器件特性；浮体SOI器件和体源短接时两种结构性能对比，(包括直流特性和高频特性)以及薄膜全耗尽器件的栅电极工程等。研制成功性能优良的部分耗尽及薄膜全耗尽CMOS器件。并形成了一整套完整的亚微米CMOS/SOI集成电路工艺流程。
在抗辐射加固工艺实验研究中，采取氮化氧化、水汽（H...

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