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ZnO:N-X薄膜p/n转变规律及导电性能不稳定的微观机理研究

2015年

基础理论

成果简介

主要研究成果：
1、在石英玻璃衬底上成功制备出p型ZnO:N-In薄膜，其最好样品的空穴浓度达到1.01×1018cm-3，迁移率和电阻率分别为3.40 cm2V-1s-1和1.81Ωcm，这一结果和目前国内最好水平相当，并保持p型导电时间长达2年。
2、首次对ZnO:N-X薄膜p/n转变规律及微观机理进行了研究；从实验上得到了N-In共掺ZnO薄膜...

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