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一种靶材级超高纯钽金属的制取方法

2015年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
半导体装置中电极间结缘膜曾使用硅的氧化物，90年代后出现了大规模集成电路，要求结缘膜极薄，且节点常数更大、更稳定、可靠，因此钽的氧化膜代替了硅的氧化膜。钽的氧化膜是通过Ar-O溅射的方法实现的，因此要求钽靶材纯度高，晶粒尺寸小，再结晶织构和三个轴向一致性好。
本发明专利涉及钽产品生产的技术改良、工艺优化，具体涉及到氟钽酸钾、钽金属产品的技术改良、工艺优化。与本企业所生产...
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