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高亮度蓝、绿LED外延片及其芯片

2003年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
高亮度蓝、绿LED的制备技术是90年代初发展起来的全球半导体研究前沿和热点领域，其关键技术是材料的结构设计技术和外延片生长技术。该项目是在太原理工大学材料许并社博士在日本留学时完成的“氮化镓材料的制备及其应用研究”基础上，组建课题组进一步跟踪研究，历时二年多时间，研制开发出基于氮化镓材料的高亮度蓝、绿LED外延片及其芯片。
一．技术原理和应用领域
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