一种多晶硅装置的清洗方法
成果简介
  多晶硅厂是一个纯度要求高、工艺复杂、设备种类众多的化工系统,多晶硅产品中部分还具备冶金系统和半导体电子元器件的特点。由于产品要求纯度较高,相应地输送产品原料的管线和储存提纯原料的设备也就要求较高、较严格的洁净度。安装前若不进行清洗,设备上的锈渣的油渍等单靠系统物料的冲刷是无法达到洁净要求的;如不干燥,系统内哪怕一点水就会造成原料水解、设备腐蚀和系统堵塞。而只做简单的清洗,系统内壁附着的污物是不可能完全清除干净,只要有残留,存在系统内的污物就会随时间慢慢衰减,造成系统净化处理阶段的废品率增高,工厂产出价值降低,由此造成在的损失是可想而知的,因此,为了缩短工艺系统调试时净化处理的时间,最大限度地降低调试费用,尽早产出符合纯度要求的高纯硅,必须要做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗工作。
  目前,多晶硅清洗工艺一般采用四氯化碳进行脱脂,并利用四氯化碳的易浑发性达到干燥的目的,但四氯化碳为有毒物质,不利于环保。
  本项目开发了一种多晶硅装置的清洗办法,该方法包括:
  (1)用脱脂剂对装置进行脱脂清洗;
  (2)用无油干燥空气对清洗后的装置进行干燥。
  所用无油干燥空气露点≤-400C,油含量≤0.01mg/m3,尘埃粒子≤0.01um,流量为40~60m3/min。脱脂剂为2~5%重量的氢氧化钠溶液,配置氢氧化钠溶液所用水为纯水,纯水含量为零,电导率《15us/cm,氯离子《5mg/L。本发明根本上解决了系统干燥问题,保证最终投产前的干燥,同时能够满足环保要求。
  目前多晶硅装置的清洗均采用此方法。即确保了多晶硅产品质量,又达到了环保要求。
  
成果完成人
焦永涛、王波、邢朝政
完成单位
  单位名称: 蓝星环境工程有限公司 联系人: 胡根英
  单位地址: 北京市空港工业B区安祥路5号 联系电话: 010-80483219;13911218070
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