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晶体硅光伏组件抗PID机理研究

2014年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

1）通过理论分析并结合试验，将钝化层工艺结构和镀膜工艺设计结合常规封装材料，实现组件抗PID效果并应用在实际生产中。
与上海神舟合作，共同开发抗PID电池片，对常规的电池片进行工艺改进，主要是对扩散制备PN结的均匀性和电池片的膜厚、折射率进行优化，并且可以使用两次镀膜工艺和氧化钝化SIO2层来使得电池片实现抗PID，制作出来的电池片与普通非抗PID电池片进行环境试验对比...

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