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用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法

2014年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法,所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料,或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中,锗/硅的原子百分比含量为0.5–80,所述相变材料中,碲的原子百分比含量为0.5–80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料;在相变存储中,相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶,相变存储器的高阻态...
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