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一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法

2014年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种包含缓冲层的InP基应变量子阱结构及制备方法，包括采用在InP衬底和应变量子阱结构中插入组分渐变缓冲层结构以及采用分子束外延制备此种结构的方法。应用此方法可以给量子阱结构的应变提供补偿控制总应变量，可以增加量子阱层的临界厚度和量子阱数目，从而提高量子阱材料与相应器件质量，特别适用于与衬底间具有大失配的量子阱结构并可以扩展量子阱的发光波长，为InP基量子结构和功能的设计和实现引...
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