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一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法

2014年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本发明是一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。...

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