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高亮度黄绿光LED外延片产业化

2014年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本项目设计和实现了高反射率的AlAs/AlxGa1-xAs分布布拉格反射器，使的量子阱有源区出射光能最大限度地被反射出来，优化了生长工艺如厚度和折射率差。在生长高Al组分（AlxGa1-x）0.5In0.5P/（AlyGa1-y）0.5In0.5P多量子阱时，设计合适的V/III比控制，避免AlGaInP材料体系的合金有序现象和化学计量比偏离，提高了复合效率，使出射光的波长均匀稳定。同时，...

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