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用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法

2014年

应用技术

中期阶段

成果简介

该课题完成了基于中芯国际40nm标准CMOS工艺的PCRAM芯片电路设计、器件结构设计、新型相变材料工程化验证、12英寸整片芯片自动高效无损测试系统搭建、芯片单项纳米加工工艺及其集成技术开发，解决了具有自主知识产权的64Mb PCRAM芯片的规模制造技术关键基础科学问题和工艺技术开发难题，圆满完成了课题计划任务书全部指标。
本发明揭示了一种用于相变存储器的Sb2Te3-...

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