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双栅纳米FinFET的器件物理、模拟模型和电路设计技术研究

2014年

基础理论

成果简介

2006年ITRS预计：2016年左右以双栅纳米FinFET为代表的非传统CMOS可能代替体硅结构用于亚22nm节点后的集成电路技术代.如此的技术进步对纳米FinFET的研究提出了巨大挑战：一是目前还无完整清晰的纳米FinFET器件物理理论；二是诸多独特物理效应复杂化了电路模拟SPICE模型的建立；三是并不清楚已有的电路设计技术和方法是否适用纳米FinFET的CMOS电路.基于此, 我...

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