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第三代半导体SiC（碳化硅）外延设备及工艺技术

2014年

应用技术

中期阶段

成果简介

本项目开展SiC 外延材料制备的关键工艺技术的合作，引进SiC 外延生长关键工艺技术与实验装置，消化吸收SiC 外延生长关键工艺技术与关键设备技术，实现4H-SiC 外延材料制备技术方面的突破，生长出高质量、高均匀性的4H-SiC 外延片，外延片技术指标达到国外先进水平，实现SiC 外延片批量化生产，为国内元器件厂家提供高质量的外延片。
SiC作为一种具有极高应用价值和...

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