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宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法，根据N型过渡金属氧化物半导体在氧化气氛下晶界势垒高度的提高，还原气氛下晶界势垒高度的降低，采用金红石型TiO₂结构对体内进行N型掺杂，晶界进行P型复合扩散。使样品在氧化气氛下，电导急剧降低，还原气氛下，急剧增加。采用厚膜工艺使样品在250℃～800℃范围内，使高温端氧化态下最低阻值和低温端还原态下的最高阻值出现1～3个数量级的差...

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