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高居里温度SiC稀磁半导体薄膜的制备、结构与磁性

2013年

基础理论

成果简介

同时利用电子的电荷和自旋属性的自旋电子学器件成为目前研究的热点。要实现这种性能优异的自旋电子学器件，制备出具有室温以上铁磁性和高自旋极化度的稀磁半导体(DMS)材料是非常关键的。近年来，SiC基稀磁半导体因优异的性能正逐渐引起人们的注意。
本项目系统研究了Mn、Fe、Cr掺杂及共掺杂SiC基DMS薄膜的局域结构及自旋相关磁、输运性能。(1)制备态和800℃退火Mn掺杂S...

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