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相变存储器的猝发写方法

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明为一种新型的相变存储器猝发写(burst write)方式。相变存储器采用多位并行写入。每一位配备有一个独立的先入先出堆栈(FIFO)。每一位完成写入操作后，立刻要求FIFO发送下一个写入数据，进行写入操作。由于相变存储器写"0"（SET操作）与写"1"(RESET)操作所需时间不同，SET操作时间要长于RESET操作时间。故而采用本发明的方法，在存储器每一位在完成RESET操作以后...

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