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一种电阻转换存储单元及其方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明提供一种相变存储器及其制备方法，特别指利用具有阈值电压开关特性(OTS)的薄膜作为选通开关的限制结构相变存储器件，该具有OTS特性的薄膜作为相变存储器中的选通开关能阻挡对未选中相变存储单元无意操作，起到与其他选通开关相同的作用，例如场效应晶体管和二极管等。利用OTS特性的薄膜作为存储器中的选通开关能有效减少选通开关的制备的工艺步骤，减小选通开关的尺寸。限制结构减小相变区域能降低存储器...
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