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基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法

2013年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种肖特基二极管驱动相变随机存储器单元及其制造方法，包括衬底，设置在衬底上的第一导体，设置在第一导体上的ZnO半导体薄膜，设置在金属氧化物上的第二导体，设置在ZnO半导体薄膜上的相变存储层以及设置在相变存储层上的第一顶部电极；所述第一导体和金属氧化物构成驱动肖特基二极管，进而驱动和选通上方的相变存储层。本发明适用于高速，高密度的相变随机存储器单元阵列的制造。本发明通过低温条件下...
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