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镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法，该相变材料的组成为Ge2Sb2Te5:0.1～0.3Ni2+。该材料通过磁控溅射方法，将Ge2Sb2Te5靶和NiO靶共溅到K9玻璃基片上得到非晶态样，而后在纳秒激光的作用下得到晶态样。在980nm激光激发下，晶态样有位于1150nm附近的荧光，非晶态样无荧光，分别代表信息存储的两个状态。本发明荧光相变信息存储材料与传统相变材料的制备过...

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