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90nm ETOX快闪记忆体的研究和产品开发

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

90nm ETOX 闪存记忆体是中国第一个采用90nm制造工艺的闪存存储器。除了中芯国际之外，目前国内尚没有一家公司进行该技术的研发。该项目共获得发明专利_14项，本项目的成功开发及量产不仅打破了国外技术垄断，同时也对本市的制造工艺，设计及封装测试行业都具有推动作用，取得了很好的社会经济效益。...

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