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GaN MOSFET导电沟道载流子输运特性的研究

2013年

基础理论

成果简介

本项目主要以全带多粒子Monte Carlo模拟作为主要研究手段，并辅之以其它研究方法，对GaN MOSFET进行研究和分析。通过模拟分析得到器件的内部以及外部特性，确定瞬态输运和微分负阻效应对迁移率及其它外部特性的影响，探索包含上述物理效应的高场迁移率模型，器件工作特性建模。
本项目基本实现了预期的任务，其主要研究成果有：
1、开发出一套用于模拟G...

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