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半导体漂流扩散模型的拟中性极限及其数值解

2013年 基础理论
  • 成果简介
拟中性极限问题是半导体理论中著名的具有挑战性的问题，p-n结是大多数半导体器件的核心，用它们可以制作成整流器、检波器、开关、放大器、光电池、半导体激光器等物理上。本项目所研究的半导体时间依赖型的泊松漂流扩散方程的拟中性数值极限问题，选取了具有物理实际意义的掺杂分布函数，有助于半导体理论的发展，同时借助计算机的这个现代化的工具对带p-n结半导体的漂流扩散模型的拟中性极限的数值解给出分析结果，...
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