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集成电路金属化自形成阻挡层研究

2013年

基础理论

成果简介

随着微电子器件特征尺寸缩小到纳米尺寸，基于阻挡层在铜互连工艺中的各种局限性，自形成阻挡层方法引起越来越多的关注，以期能够替代扩散阻挡层的作用。本项目以Cu（M）/SiO2/Si、Cu（M-N）/Si（M=V、Zr）多层膜体系为研究对象，深入分析掺杂原子扩散规律和物理本质，揭示自形成阻挡层性能和抗电迁徙性能的微观机制。提出场助退火新工艺方法及高、低真空退火相结合的新思路，在保证自形成阻挡层性...

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