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基于晶片键合和光子晶体波导结构的垂直腔面发射激光器的研究

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

(1)制备了单缺陷腔低发散角850nm和980nm光子晶体VCSEL器件，850nm单模输出功率2.6mW，边模抑制比30dB，发散角5度左右。980nm单模输出功率1.3mW，边模抑制比35dB，发散角5度左右；
(2)在国际上首次提出环形腔光子晶体VCSEL结构，室温直流单模输出功率达到4.2mW，边模抑制比30dB，达到国际先进水平，室温脉冲输出功率5.7mW（脉...

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